Corrigendum to “Tunable magnetic and topological phases in EuMnXBi₂ (X=Mn, Fe, co, Zn) pnictides” [Comput. Mater. Sci. 264 (2026) 114481]

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3月12-15日,上海新国际博览中心,AWE2026见!

据TheElec,三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存,该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产,不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造,负责后端的金属布线和表面处理工艺。(财联社)

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